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EMC測(cè)試項(xiàng)及解決方案介紹

更新時(shí)間:2018-12-17      點(diǎn)擊次數(shù):1968

電磁兼容,是指設(shè)備或系統(tǒng)在電磁環(huán)境中性能不降級(jí)的狀態(tài)。電磁兼容,一方面要求系統(tǒng)內(nèi)沒(méi)有嚴(yán)重的干擾源,一方面要求設(shè)備或系統(tǒng)自身有較好的抗電磁干擾性。電磁兼容是一門新興的綜合性邊緣學(xué)科,它主要研究電磁波輻射,電磁干擾,雷擊,電磁材料等方面。

電磁干擾,是指電子設(shè)備自身工作過(guò)程中,產(chǎn)生的電磁波,對(duì)外發(fā)射,從而對(duì)設(shè)備其它部分或外部其它設(shè)備造成干擾。例如,TV熒光屏上常見(jiàn)的“雪花”,便表示接受到的訊號(hào)被干擾。

電磁敏感度,是指設(shè)備受電磁干擾的敏感程度,越敏感的設(shè)備,越容易受到干擾。

因?yàn)橛辛薊MI,才有了EMC,因?yàn)镋MS達(dá)標(biāo),才能實(shí)現(xiàn)EMC。

EMC測(cè)試-構(gòu)成
EMC包含兩大項(xiàng):EMI(干擾)和 EMS(敏感度,抗干擾)
EMI測(cè)試項(xiàng)包括:RE(輻射,發(fā)射)、CE(傳導(dǎo)干擾)、Harmonic(諧波)、Flicker (閃爍)

EMS測(cè)試項(xiàng)包括:ESD (靜電)、EFT(瞬態(tài)脈沖干擾)、DIP(電壓跌落)、CS(傳導(dǎo)抗干擾、RS(輻射抗干擾)、Surge(浪涌,雷擊)、PFM(工頻磁場(chǎng)抗擾度)

電源是一個(gè)電子電路系統(tǒng)穩(wěn)定的前提,然而,由于開(kāi)關(guān)電源效率高、體積小的壓倒性優(yōu)勢(shì),在這所有的產(chǎn)品的電源有近百分之90以上都是采用開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行電壓適配,當(dāng)然另外也有一些LDO。這樣的話效率、體積或者是功能是達(dá)到了的要求,但是在過(guò)認(rèn)證(EN55022、FCC part 15、GB9254)的時(shí)候就會(huì)發(fā)現(xiàn)EMC會(huì)帶來(lái)很多的困擾,例如,空間輻射測(cè)試不過(guò),傳導(dǎo)輻射測(cè)試不過(guò)、雷擊浪涌、脈沖群等等,往往會(huì)因?yàn)檫@些問(wèn)題的存在導(dǎo)致認(rèn)證過(guò)程的延誤,致產(chǎn)品延緩上市卻不能搶占市場(chǎng)。鑒于此,特收集整理了一些開(kāi)關(guān)電源EMI整改中,關(guān)于不同騷擾源頻段干擾原因及抑制辦法,供各位工程師參考學(xué)習(xí)。

 

1MHz以內(nèi)以差模干擾為主

1.增大X電容量

2.添加差模電感

3.小功率電源克采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用大一些的)。

 

1MHz~5MHz差模共模混合

采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差模干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決

1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)克調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量

2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)克添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理(一對(duì)快速二極管如FR107,一對(duì)普通整理二極管1N4007)

 

5MHz以上以共模干擾為主,采用以抑制共模的方法

1.對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHz以上干擾有較大的衰減作用,

2.克選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán)

3.處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)放大電路并聯(lián)電容的大小。

 

20-30MHz

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值

3.在變壓器外面包銅箔,變壓器嘴里層加屏蔽層,調(diào)整變壓器的各繞組的排布

4.改變PCBLAYOUT

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感

6.在輸出整流管并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)

7.在變壓器玉MOSFET之間加beadcore

8.在變壓器的輸入腳加一個(gè)小電容

9.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻

 

30-50MHz 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起

1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決

4.或則輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路

6.在變壓器與MOSFET之間加beadcore

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容

8.PCBlayout時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小

9.變壓器,輸出二極管。輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小

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